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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的高压开关管吗？STF45N65M5正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和35A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅78毫欧），能显著降低开关过程中的传导损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它卓越的开关特性（低栅极电荷和优化的电容）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是用于服务器电源、工业变频器，还是光伏逆变器和UPS系统，STF45N65M5都能提供稳定、强劲的性能支持，助您打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STF45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF45N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。