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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持超低损耗的功率开关吗？STGW15H120DF2正是您的理想答案。这颗来自意法半导体的1200V/15A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您的高压应用提供强劲而高效的动力核心。

它能让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其极低的Vce(on)饱和压降和优化的开关能量（380J开，370J关），显著减少了导通和开关过程中的功率损耗。这意味着，在工业驱动、太阳能逆变或UPS等应用中，您不仅能轻松提升整体能效，还能简化散热设计，降低系统复杂性和成本。高达30A的持续电流能力和175°C的最大结温，更确保了它在苛刻环境下的卓越可靠性与长久寿命。

• 型号:STGW15H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):231 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW15H120DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。