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还在寻找一颗能扛起200V电压、流畅通过5A电流，同时还能保持冷静的功率开关吗？STD5N20T4正是为您的中功率应用量身打造的解决方案。它采用先进的N沟道MOSFET技术，在您最关心的效率指标上表现卓越低至800毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能轻松集成到您的表面贴装设计中，其DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间节省。高达150°C的结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代紧凑型设备，STD5N20T4都能让您以更低的发热实现更强的性能输出，简化您的热管理设计，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STD5N20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N20T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。