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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？STI24N60M6正是为您的中高功率开关应用量身定制的答案。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和17A的电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或太阳能逆变器时，轻松应对严苛的功率挑战。

它的核心价值在于卓越的能效表现。优化的芯片结构显著降低了损耗，这意味着您的系统运行更凉爽、更高效，直接帮助提升整体能源转换效率并简化散热设计。采用坚固的I2PAK通孔封装，确保了出色的功率承载和散热性能，为您的产品长期稳定运行保驾护航。选择STI24N60M6，就是选择用一颗芯片释放系统的全部潜能，高效、可靠地驱动您的创新。

• 型号:STI24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI24N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。