我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD3NK100Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压电源设计中的效率瓶颈和散热挑战而烦恼吗？STD3NK100Z正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有1000V的超高耐压和仅2.5A（Tc）下的6欧姆低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了优化的动态特性，如低栅极电荷和输入电容，让您能够轻松实现快速开关，提升整体能效。无论是工业电源、LED驱动还是各类功率转换单元，STD3NK100Z都能以卓越的可靠性和坚固的DPAK封装，助您构建更紧凑、更耐用的高性能产品。

• 型号:STD3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。