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您正在设计需要处理高压大电流的电源或驱动电路吗？STB11NM60T4正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体MDmesh系列的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和11A的连续电流能力，能轻松胜任开关电源、PFC及电机驱动等应用中的核心开关角色。

它采用先进的MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（典型值450mΩ @10V），能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。优化的动态特性有助于提升开关频率，从而让您可以使用更小的磁性元件，有效缩小产品体积并降低成本。其坚固的D2PAK封装确保了出色的功率耗散能力，结合宽广的工作温度范围（-65°C至150°C），为您提供高可靠性的保障，让您的设计从容应对各种严苛环境。

• 型号:STB11NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11NM60T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。