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还在为高压开关应用的效率与可靠性头疼吗？让STW9NK70Z成为您破局的关键！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为应对700V高压环境而生，其7.5A的连续漏极电流承载能力和SuperMESH技术带来的超低导通电阻，能显著降低您的系统导通损耗，提升整体能效。

它能让您轻松驾驭开关电源（SMPS）、电机控制、照明镇流器等高压功率转换场景。优异的栅极电荷特性确保了快速开关，减少开关损耗，而坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），则为您产品的长期稳定运行提供了坚实保障。选择它，就是选择了一份高效与安心。

• 型号:STW9NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9NK70Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。