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还在寻找一颗能兼顾大电流与高效率的开关解决方案吗？STD100NH02LT4正是为您而来的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有24V的耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅4.8毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

得益于STripFET II先进技术，它在10V驱动电压下就能实现优异的性能，栅极电荷（Qg）控制出色，确保快速干净的开关动作，让您轻松优化开关频率和驱动电路设计。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，它都能帮助您简化散热设计，缩小产品体积，最终以更低的系统总成本，实现更具市场竞争力的高性能设计。

• 型号:STD100NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3940 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。