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您是否正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关核心？STD35NF06LT4正是为您而来的解决方案。这颗ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达35A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的17毫欧导通电阻（典型值），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET II技术，栅极电荷(Qg)低至33nC，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和DPAK封装，确保了它在严苛环境下的稳定性和易于生产的特性。选择它，就是为您的产品选择了强劲的动力、出色的能效和可靠的品质基石。

• 型号:STD35NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD35NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。