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还在为高压小功率应用的效率和空间问题烦恼吗？STL17N65M5这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为您量身打造的解决方案。它能轻松应对高达650V的电压，让您的开关电源、LED驱动或辅助电源设计既安全又高效。

得益于其MDmesh V技术和PowerFlat HV紧凑封装，它不仅提供了优异的开关性能（低栅极电荷Qg）和导通特性（低Rds(on)），更能让您在极其有限的空间内实现强大的功率处理。这意味着您可以设计出更小巧、更可靠的产品，同时有效管理热耗散，确保系统长时间稳定运行。

• 型号:STL17N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta），10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:374 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL17N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。