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当您的设计需要应对800V高压并处理高达12A的电流时，STB14N80K5就是为您量身打造的动力引擎。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，旨在让您轻松实现高效、可靠的功率转换。

它凭借极低的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，并帮助缩小散热器尺寸。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的电源、电机驱动或逆变器应用选择了经得起考验的高性能与长寿命保障。

• 型号:STB14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。