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还在为寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STH290N4F6-6AG正是为您破解这一难题的利器。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有高达180A的电流处理能力和仅1.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低您系统中的开关损耗和发热，让电源转换效率轻松跃升新台阶。

它专为汽车和工业领域的严苛应用而设计，符合AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定运行。无论是构建更紧凑的车载充电器，还是打造响应更迅捷的电机驱动器，它都能让您游刃有余。其优化的封装与电气特性，直接助力您简化散热设计、提升功率密度，最终让您的终端产品更具市场竞争力。

• 型号:STH290N4F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH290N4F6-6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。