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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？STD12N50M2就是您的高效开关利器。这颗采用ST先进MDmesh M2技术的500V/10A N沟道MOSFET，拥有低至380毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它专为要求苛刻的开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及电机控制应用而优化。其坚固的DPAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在紧凑空间内的卓越功率处理能力和长期可靠性。选择它，意味着您选择了一个能简化设计、提升性能并加速产品上市的可靠伙伴。

• 型号:STD12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N50M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。