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您正在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的“心脏”吗？STGW80H65FB-4正是为此而生。这颗650V/80A的沟槽场截止型IGBT，能为您提供强劲的动力输出，其低至2V的Vce(sat)让导通损耗大幅降低，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更节能、更经济。

它卓越的开关性能（开启/关断能量分别仅为2.1mJ和1.5mJ）意味着更低的开关损耗和更少的发热，让您能够轻松提升系统工作频率，从而优化周边被动元件的尺寸与成本。无论是驱动电机、转换太阳能，还是保障关键电源，它都能在-55°C到175°C的严酷温度范围内稳定工作，确保您的设计坚固可靠。

• 制造商产品型号：STGW80H65FB-4
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• IGBT类型：沟槽型场截止
• 电压-集射极击穿（最大值）：650V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：240A
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
• 功率-最大值：469W
• 开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：414nC
• 25°C时Td（开/关）值：84ns/280ns
• 测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间(trr)：-
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-247-4
• STGW80H65FB-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。