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还在为高电压、大电流的功率控制难题而烦恼吗？IRFP450正是为您解决这类挑战而生的强力工具。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有高达500V的耐压和14A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或功率放大器时，能够轻松应对高压环境，确保系统的心脏功率开关部分坚如磐石。

它采用了先进的PowerMESH II技术，将低导通电阻（典型值380毫欧）与快速的开关特性完美结合。这意味着它能显著降低您在导通状态下的能量损耗，提升整体能效，同时快速的开关响应让您的系统控制更为精准高效。高达190W的功率耗散能力和宽泛的工作温度范围，赋予了它出色的可靠性和环境适应性，让您的产品在各种严苛条件下都能稳定运行，持久耐用。

• 型号:IRFP450
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• IRFP450，ST（意法半导体）产品一站式供应商。