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还在为高压环境下的功率开关选型而烦恼吗？让STP8NK100Z为您提供一劳永逸的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达1000V的耐压和6.5A的电流处理能力，能轻松驾驭开关电源、电机驱动等高要求场景，有效抵御电压冲击，确保系统心脏强劲有力。

它不仅仅参数强悍，更注重实际使用体验。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗和发热，配合TO-220AB封装优秀的散热特性，让您的设备运行更凉爽、更高效。同时，优化的动态参数让开关过程干净利落，显著提升整体能效。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，让设计更简单，让性能更出众。

• 型号:STP8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。