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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB11N52K3正是为您而来的答案。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的耐压和10A的电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它的核心价值在于卓越的性能平衡。极低的导通电阻（仅510毫欧）意味着更少的能量浪费和发热，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的开关特性（低栅极电荷）让高频操作轻松实现，助您设计出更小巧、更高效的电源产品。无论是工业级设备还是消费类电子，它都能提供稳定可靠的功率开关解决方案，让您轻松应对高压挑战。

• 型号:STB11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。