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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STP6N62K3正是为您而来！这颗基于意法半导体先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的坚固耐压和5.5A的强大电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景设计。

它最吸引人的地方在于其卓越的效率表现。极低的1.2欧姆导通电阻大幅减少了导通损耗，而优化的34nC栅极电荷则让开关动作干净利落，显著降低了开关损耗。这意味着，在您的开关电源、电机控制或照明应用中，它能帮助系统轻松达到更高的能效等级，同时减少发热，让您的产品运行更凉爽、更持久。

采用通孔TO-220AB封装，它坚固可靠，易于安装和散热。选择STP6N62K3，就是为您的设计注入一颗强劲、高效且可靠的心脏，让您轻松应对各种高压功率挑战，加速产品上市进程。

• 型号:STP6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。