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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STB9NK50ZT4来为您破局！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和7.2A的电流处理能力，专为要求严苛的功率转换场景而生。

它能为您做什么？核心就是让您的电源设计更高效、更可靠。其极低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，提升整体能效；而优化的开关特性（低Qg和Ciss）让驱动更轻松，有助于实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，让您的产品更紧凑。无论是工业电源、PFC电路还是照明驱动，它都能助您一臂之力。

选择它，意味着您选择了一颗经过验证、性能强劲的功率开关。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热和功率耗散能力（高达110W），让您的系统即使在高温高负荷下也能稳定运行，大幅提升产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STB9NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。