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还在寻找一颗能同时满足高功率、高增益和高效率需求的射频功放芯片吗？PD55035S-E就是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频MOSFET，专为500MHz左右的VHF/UHF频段优化，能轻松输出高达35W的功率，并带来16.9dB的卓越增益，让您的驱动电路设计大幅简化。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您在40V的高压和7A的大电流下也能稳定运行，确保设备长时间高效工作。无论是用于通信基站、射频能量应用还是测试仪器，PD55035S-E都能让您的系统性能更强劲、更可靠，助您快速将创新构想转化为市场领先的产品。

• 型号:PD55035S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:16.9dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:35W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD55035S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。