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还在为驱动高压半桥电路而烦恼吗？L6386ED正是为您而来的高效解决方案！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，它能以高达650mA/400mA的强大输出电流，让您的功率开关管实现快速、精准的开启与关断，从而显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

它集成了高达600V的自举电压能力，轻松应对高边驱动挑战，同时宽广的-40°C至150°C工作温度范围确保了极端环境下的稳定表现。其反相输入逻辑和优化的开关速度（典型上升/下降时间50ns/30ns），让您的电路设计更简洁，系统响应更迅捷。选择L6386ED，就是选择让您的电机驱动、电源转换或照明系统设计变得更可靠、更高效、更轻松。

• 型号:L6386ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6386ED，ST（意法半导体）产品一站式供应商。