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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STFI13N95K3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有高达950V的击穿电压和10A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时，能够轻松应对高压环境，同时保持系统的高效与稳定。

它采用了先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻极低，这意味着更少的能量以热的形式浪费，显著提升了整体能效。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关性能，让您的电源转换更加高效流畅。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，是您构建坚固耐用电力系统的理想选择。

• 型号:STFI13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。