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还在为功率器件的损耗和发热问题头疼吗？让STB36NF06LT4来为您解决！这颗强大的N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的秘密武器。它能轻松处理高达60V电压和30A电流，而其超低的导通电阻（仅40毫欧）意味着更少的能量浪费和更低的运行温度，直接让您的系统能效飙升，运行更凉爽、更安静。

得益于先进的STripFET II技术，它不仅开关迅速，响应灵敏，更能确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STB36NF06LT4都能让您的设计更紧凑、性能更强劲、可靠性更高，助您轻松打造出领先市场的产品。

• 型号:STB36NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。