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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、散热强的功率开关吗？STH270N4F3-2正是为此而生。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有180A的强大电流处理能力和低至1.7毫欧的导通电阻，能显著提升您电源系统或电机驱动方案的效率，让能量传输更直接、损耗更小。

它采用优化的HPAK封装和先进的STripFET III技术，确保在高功率运行时依然保持出色的热管理性能，最高结温可达175°C。这意味着您可以在更紧凑的空间内实现更高的功率密度，同时无需过分担忧散热问题。无论是用于车载充电器、DC-DC转换还是各类功率控制模块，它都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:STH270N4F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• STH270N4F3-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。