我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW17N62K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的核心开关器件吗？STW17N62K3正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和15.5A的强电流通过能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，能够轻松应对严苛的电气环境，为整个方案奠定坚实可靠的基础。

它的卓越之处在于极致的效率提升。凭借低至380毫欧的导通电阻，它能显著降低功率损耗，将更多电能高效地输送给负载。同时，优化的动态参数确保了快速干净的开关特性，帮助您减少开关损耗，提升系统频率与功率密度。这颗芯片的强大散热能力（190W）与宽工作温度范围，更能让您的产品在持续高负荷运行下依然保持冷静与稳定，全面提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:STW17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW17N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。