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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管？STO67N60DM6正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh DM6技术，为您带来低至59毫欧的导通电阻和优化的动态性能，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗N沟道MOSFET拥有600V/33A的强劲规格，采用散热优异的TOLL封装，让您能轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS及新能源充电设备等高压应用挑战。其优异的开关特性有助于提升系统功率密度，简化散热设计，从而加速您的产品上市进程，并赋予终端产品更强的市场竞争力。

• 型号:STO67N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO67N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。