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还在为功率开关的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让STB16NF06LT4为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET技术，旨在让您的电源和电机控制设计脱胎换骨。

它能够轻松驾驭高达60V的电压和16A的连续电流，其超低的导通电阻（最低仅90毫欧）能大幅减少能量损耗和发热，直接提升您的系统效率。同时，优化的开关特性让驱动更简单，响应更迅速。无论是用于构建高效的DC-DC转换器，还是驱动强劲的电机，它都能让您的产品性能更卓越，运行更稳定可靠。

• 型号:STB16NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。