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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STU60N3LH5正是为您而来！这颗采用意法半导体先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达48A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅8.4毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用，如电机驱动或电源转换中，它能大幅降低导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

它专为要求严苛的场合设计。极低的栅极电荷和输入电容让开关速度飞快，轻松提升您的电路工作频率和动态响应。同时，其坚固的I-PAK通孔封装和高达175°C的结温工作能力，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性和散热性能。选择STU60N3LH5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 型号:STU60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU60N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。