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面对需要处理650V高压、130A大电流的严峻挑战，STE139N65M5能为您做什么？它就像一位功率处理领域的“高效能武士”，其核心使命是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更冷静、更可靠、更节能。

这颗采用意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有低至17毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接将电能更高效地传递给负载，从而提升整体系统效率。同时，其优化的动态参数有助于实现更干净的开关，让您轻松应对电磁兼容性设计挑战。

无论是安装在工业变频器、UPS不同断电源，还是大功率充电设备中，STE139N65M5凭借其坚固的ISOTOP封装和高达672W的耗散能力，都能为您提供强大的功率处理平台和充足的热余量，确保系统在 demanding 环境下稳定持久地工作。

• 型号:STE139N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:363 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:672W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE139N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。