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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时又能极致优化能效的“核心引擎”吗？STB15NM65N正是为此而来。这颗采用ST先进MDmesh II技术的650V N沟道MOSFET，旨在让您的电源和电机驱动应用脱胎换骨。

它凭借仅270毫欧的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让电能传输更高效，系统发热更少。同时，优化的开关特性帮助您轻松实现更高的工作频率，提升功率密度。其坚固的D2PAK封装和宽温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高效、紧凑、耐用电力电子产品的理想基石。

• 型号:STB15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB15NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。