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还在为高压大功率设计的效率瓶颈寻找突破口吗？STW65N80K5正是您期待的解决方案。这颗800V/46A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh K5技术，能为您大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有低至80毫欧的优异导通电阻和优化的动态特性，让您轻松实现更高的功率密度和更快的开关频率。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的能源效率，STW65N80K5都能提供稳定可靠的性能支撑，助您轻松构建更具竞争力的下一代电力电子产品。

• 型号:STW65N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3230 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW65N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。