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您正在寻找一颗能扛起高功率重任，同时保持冷静与高效的“核心引擎”吗？STW33N60DM2正是为此而来。这颗N沟道功率MOSFET拥有600V的耐压和24A的连续电流能力，基于ST先进的MDmesh DM2技术打造，其超低的130毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它能让您轻松驾驭高频开关设计。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关切换，大幅降低开关损耗，提升整体效率。无论是面对工业环境的严苛考验，还是追求消费级产品的紧凑设计，其TO-247封装和强大的散热能力都能提供可靠保障。选择STW33N60DM2，就是选择用一颗芯片解锁更高的功率密度、更优的温控表现和更长的系统寿命，让您的产品在性能竞赛中脱颖而出。

• 型号:STW33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW33N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。