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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STP3N150来为您轻松化解！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的1500V耐压和2.5A电流处理能力，专为应对严苛的高压环境而生。

它采用先进的PowerMESH技术，实现了低至9欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升您的系统整体效率。同时，其极低的栅极电荷让开关速度更快，驱动更轻松，帮助您设计出更紧凑、更高效的电源产品。无论是太阳能逆变器、工业电源还是电机驱动，STP3N150都能以卓越的稳定性和强大的功率处理能力，确保您的设备高效、可靠地运行。

• 型号:STP3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。