我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF130N10F3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STF130N10F3正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达46A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅9.6毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用，如电机控制或电源转换中，它能显著减少导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

同时，其优化的栅极电荷（Qg）和快速的开关特性，能帮助您轻松提升开关频率，从而缩小磁性元件的体积，实现更高功率密度的设计。无论是面对工业自动化中的严苛挑战，还是追求消费类电源的极致效率，STF130N10F3都能以卓越的性能和可靠性，助您一臂之力，让产品设计事半功倍。

• 型号:STF130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF130N10F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。