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还在为如何提升电源转换效率而烦恼吗？让STB11NM60N-1来为您解决！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。它拥有600V的高压耐受能力和10A的连续电流输出，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的严峻挑战。

它的核心价值在于卓越的性能平衡。其低至450毫欧的导通电阻能显著减少导通损耗，帮助您的系统运行得更凉爽、更高效。同时，优化的开关特性让驱动设计更简单，助您轻松提升整体能效和可靠性。选择它，就是选择了一个经过验证的、能为您项目稳定护航的功率开关解决方案。

• 型号:STB11NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB11NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。