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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效冷静的“能量指挥官”？STP5NK100Z正是您的理想之选。它基于先进的SuperMESH3技术，拥有高达1000V的击穿电压和仅3.7欧姆的低导通电阻，让您在处理工业电源、电机控制等高压应用时，能显著降低开关损耗和发热，提升系统整体能效。

这颗芯片能为您提供强大而可靠的功率开关解决方案。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动设计更简单，开关速度更快，响应更迅捷。高达125W的功率处理能力和宽温度范围，确保它在严苛环境下依然稳定工作。选择STP5NK100Z，就是为您的产品注入了高效、耐用与安心的核心动力。

• 型号:STP5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。