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您是否正在寻找一颗能同时征服高压与高效率挑战的功率开关？STL7LN80K5正是您的理想答案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和5A的强劲电流能力，专为要求苛刻的开关电源应用而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。极低的1.15欧姆导通电阻和仅12nC的栅极电荷，意味着它能大幅降低开关损耗和驱动损耗，直接提升系统整体能效，让您的电源产品运行更清凉、更高效。同时，紧凑的PowerFlat封装帮助您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。

无论是工业电源、充电设备还是LED驱动，选择STL7LN80K5，就是选择了一份可靠的性能保障和显著的成本优化，让您的产品在市场竞争中轻松赢得先机。

• 型号:STL7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。