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您正在寻找一颗能扛起大梁的射频功率放大器核心吗？SD57120正是为您而来！这颗由ST意法半导体打造的LDMOS FET射频晶体管，专为高频、高功率应用而生，能让您的系统在960MHz频段下，轻松爆发出高达120W的强劲输出功率。

凭借其65V的高耐压和14A的电流处理能力，它为您提供了宽裕的工作安全区。高达14dB的增益，显著简化了您的驱动电路设计，让信号放大更加高效直接。无论是用于广播发射还是专业通信基站，它都能让您的设备拥有更远的覆盖范围和更稳定的信号质量，助您轻松构建高性能的射频前端解决方案。

• 型号:SD57120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M252
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M252
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:14dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:14A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:800 mA
• 功率 - 输出:120W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M252
• 供应商器件封装:M252
• SD57120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。