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还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰吗？让STP11NK50Z为您开启高效之门。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，其核心使命就是大幅降低您的系统导通与开关损耗。

它凭借仅520毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）和优化的68nC栅极电荷，让您轻松实现更低温升、更高频率的开关操作。这意味着您的电源、电机驱动或照明设备不仅能效更高、运行更凉爽，还能拥有更精简的散热设计和更出色的可靠性。其经典的TO-220AB封装和125W的功率耗散能力，确保了在各种严苛环境下都能稳定工作，是您打造高性能、高竞争力产品的理想功率开关选择。

• 型号:STP11NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。