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还在为高压应用的效率与散热问题头疼吗？让STB7NK80Z-1来为您分忧！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率转换的得力助手。它拥有800V的高耐压和5.2A的电流处理能力，能轻松应对严苛的工业环境，而其低至1.8欧姆的导通电阻，则能显著降低导通损耗，直接提升您的系统能效。

更妙的是，它优异的动态特性如较低的栅极电荷和输入电容，让开关过程更加迅速、平滑，有效减少开关损耗和电磁干扰。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能出众，确保芯片在高达150°C的结温下仍能稳定工作。无论是设计开关电源、电机驱动还是照明系统，STB7NK80Z-1都能让您以更简单的设计，获得更高效、更可靠的性能表现，加速产品上市进程。

• 型号:STB7NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB7NK80Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。