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还在为寻找一颗既能承载大电流、又具备超高开关效率，同时还能在紧凑空间内稳定工作的双MOSFET而烦恼吗？STL64DN4F7AG正是为您破解这一难题的终极答案。

这颗芯片能为您做什么？它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，每个通道都能轻松应对40A的持续电流，而其惊人的低导通电阻（仅8.5毫欧）能大幅降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。超低的栅极电荷确保了迅猛的开关速度，让您在设计高频DC-DC转换器、电机驱动或汽车功率系统时游刃有余。

更重要的是，它采用先进的PowerFLAT封装，在提供高达57W散热能力的同时，占板面积极小，完美助力您实现高功率密度的紧凑设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和车规级可靠性，让您无论面对工业严苛环境还是汽车电子挑战，都能信心十足。选择STL64DN4F7AG，就是选择让您的设计一步到位，高效又可靠。

• 型号:STL64DN4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637pF @ 25V
• 功率 - 最大值:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL64DN4F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。