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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让STD11N60M2-EP来为您分忧！这颗采用ST先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，是专为高效、可靠功率转换而设计的利器。

它拥有600V的耐压和7.5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高压侧开关任务。其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，直接提升您的系统效率，并减少发热，让您的设计更节能、更凉爽。

采用坚固的DPAK封装，散热性能优异，工作温度范围宽广，确保在各种严苛环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的动力核心。

• 型号:STD11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。