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您正在设计需要处理高压、高可靠性的电源或驱动系统吗？STH2N120K5-2AG正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有1200V的耐压和仅5.3nC的低栅极电荷，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对电动汽车充电、工业电源等高压场景的挑战。其优异的导通特性和H2PAK-2封装带来的良好散热，确保了在高功率下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了经AEC-Q101认证的可靠性和卓越性能，助您高效完成设计，快速推向市场。

• 型号:STH2N120K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:124 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH2N120K5-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。