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还在为射频系统的功率与效率瓶颈而烦恼吗？让PD55035STR-E来为您破局！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为 demanding 应用而生，能在高达500MHz的频率下，轻松输出高达35W的强劲功率，让您的信号覆盖更广、穿透力更强。

它内置高达16.9dB的增益，能显著放大您的输入信号，配合40V的高耐压和7A的电流能力，确保系统即使在波动中也能稳定高效运行。其先进的PowerSO-10封装与裸露焊盘设计，让散热不再是难题，大幅提升了设备的长期可靠性。选择它，就是为您的通信、广播或工业射频系统注入一颗高效、可靠的“强芯”。

• 制造商产品型号：PD55035STR-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：不用於新
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：500MHz
• 增益：16.9dB
• 电压-测试：12.5V
• 额定电流（安培）：7A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：200mA
• 功率-输出：35W
• 电压-额定：40V
• 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
• PD55035STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。