我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL19N60M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用的开关损耗和散热设计头疼吗？让STL19N60M2来为您解决！这颗来自ST意法半导体MDmesh M2家族的600V/11A N沟道MOSFET，凭借其业界领先的工艺，能显著降低导通电阻和栅极电荷，从而大幅提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用创新的PowerFlat HV封装，让您能在更紧凑的空间内实现高功率密度设计，同时优异的散热性能确保设备在严苛环境下稳定运行。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STL19N60M2都是您实现高效、紧凑型高压开关应用的理想选择，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL19N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。