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还在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流与高效率的功率开关吗？STL23NM60ND正是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和19.5A的连续电流能力，专为 demanding 的功率转换场景而设计。

它的核心使命是让您的系统运行得更“冷”、更高效。凭借仅180毫欧的超低导通电阻，它能显著减少导通损耗；配合优化的70nC栅极电荷，又能大幅降低开关损耗。这意味着，无论是开关电源、电机驱动还是PFC电路，它都能帮助您提升整体能效，减少散热设计压力。其PowerFlat封装更易于布局和散热，让您轻松实现高功率密度与可靠性的完美平衡。

• 型号:STL23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL23NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。