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还在为射频前端设计的功率与效率瓶颈而烦恼吗？PD55008-E正是为您破局而生的利器。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率MOSFET，能在高达500MHz的频率下，轻松为您输出8W的强大功率，并带来高达17dB的显著信号增益，让您的发射设备拥有更远的覆盖范围和更清晰的信号质量。

它让您的设计工作变得异常高效。采用紧凑的PowerSO-10封装并优化散热，配合12.5V的典型工作电压，它帮助您大幅简化电源和散热系统设计，在提升整体性能的同时，有效控制功耗与成本。无论是通信基础设施、专业广播还是工业射频应用，PD55008-E都能成为您构建稳定、高效、高性能射频放大链路的可靠核心，助您快速将创新构想转化为市场领先的产品。

• 型号:PD55008-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD55008-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。