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想象一下，您需要一颗能扛起600V高压、流畅处理17A电流的“能量开关官”，同时还要它反应敏捷、发热量低。STI24NM60N正是为此而生！它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，核心使命就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽、更可靠。

这颗N沟道MOSFET拥有仅190毫欧的低导通电阻，能显著减少能量在传输过程中的损耗，直接为您节省电力成本。其优化的开关特性（栅极电荷仅46nC）让开关动作干净利落，不仅提升了整体效率，还有助于简化您的EMI滤波设计。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热能力出众，确保它在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，轻松应对各种严苛环境挑战。

• 型号:STI24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI24NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。