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还在寻找那颗能扛起大电流、压住低损耗的“中流砥柱”吗？STD80N3LL N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有30V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅5.2毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升，发热更低。

这颗芯片旨在让您的设计工作更轻松高效。其4.5V的低阈值驱动电压，让它可以被广泛的主流控制器轻松驱动，简化您的电路设计。同时，优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关性能，非常适合高频开关应用，帮助您实现更紧凑、更高效的电源系统。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体领先的工艺技术与稳定品质。

• 型号:STD80N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD80N3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。