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还在为小功率应用中开关损耗过高而头疼吗？让STGD3NB60SD-1来为您解决！这颗600V/6A的IGBT，集成了意法半导体先进的PowerMESH技术，能为您提供高效、可靠的功率开关解决方案。

它拥有低至1.5V的饱和压降和优化的开关能量（1.1mJ开/1.15mJ关），能显著降低导通与开关损耗，让您的变频器、电源或电机驱动系统运行更高效、更凉爽。其标准输入特性和DPAK封装，让您能够轻松设计、快速布局，大幅提升开发效率。

• 型号:STGD3NB60SD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 6A DPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:48 W
• 开关能量:1.1mJ（导通），1.15mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:18 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:125s/3.4s
• 测试条件:480V，3A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):1.7 s
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD3NB60SD-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。